banner

Новости

Dec 15, 2023

Сверхтекучая жесткость KTaO3

Nature Communications, том 13, номер статьи: 4625 (2022) Цитировать эту статью

3770 Доступов

7 цитат

90 Альтметрика

Подробности о метриках

После почти двадцати лет интенсивной работы над знаменитой системой LaAlO3/SrTiO3 недавнее открытие сверхпроводящего двумерного электронного газа (2-DEG) в гетероструктурах на основе KTaO3 с ориентацией (111) придаёт новый импульс изучению границ раздела оксидов. Однако, хотя оба интерфейса имеют общие свойства, эксперименты также указывают на важные различия между двумя системами. Здесь мы сообщаем о перестраиваемой затворной сверхпроводимости в 2-ДЭГ, генерируемых на поверхности кристалла KTaO3 с ориентацией (111) путем простого распыления тонкого слоя Al. Мы извлекаем сверхтекучую жесткость 2-DEG и показываем, что ее температурная зависимость согласуется с безузловым сверхпроводящим параметром порядка, имеющим значение зазора, большее, чем ожидалось в рамках простой предельной модели слабой связи БКШ. Сверхпроводящий переход происходит по сценарию Березинского-Костерлица-Таулесса, о котором не сообщалось на интерфейсах на основе SrTiO3. Наше открытие открывает инновационные перспективы для фундаментальной науки, а также для применения устройств в различных областях, таких как спин-орбитроника и топологическая электроника.

Танталат калия KTaO3 представляет собой зонный изолятор с шириной щели 3,6 эВ, сохраняющий кубическую структуру перовскита вплоть до самых низких температур1. Подобно титанату стронция (SrTiO3), это квантовый параэлектрический материал, находящийся на грани сегнетоэлектрической неустойчивости и характеризующийся большой диэлектрической проницаемостью при низкой температуре (ϵr ≃ 5000)1,2. Оба материала можно превратить в металл путем электронного легирования, например, за счет кислородных вакансий. Из-за их общих свойств было высказано предположение, что сверхпроводимость должна возникать и в легированном KTaO3. Однако, хотя сверхпроводимость была открыта более полувека назад в объемном SrTiO33, все попытки вызвать объемную сверхпроводимость в KTaO3 до сих пор не увенчались успехом4. Используя ионное стробирование, Уэно и др. мог генерировать сверхпроводящий 2-ДЭГ на поверхности (001)-KTaO3, хотя и при очень низкой температуре (Tc ≃ 40 мК)5. Более поздние исследования 2-ДЭГ KTaO3 не выявили сверхпроводимости до начала 2021 года, когда в двух статьях сообщалось об открытии сверхпроводящего 2-ДЭГ, образовавшегося на границе раздела (111)-KTaO3 и изолирующих слоев LaAlO3 или EuO6,7. Эмпирическое увеличение Tc с увеличением электронной плотности было предложено с максимальным значением 2,2 К при легировании ≈ 1,04 × 1014e− × cm−2 6, что почти на порядок выше, чем в интерфейсе LaAlO3/SrTiO38. Управление Tc эффектом электрического поля было также продемонстрировано в устройстве с стержнем Холла7, и была получена куполообразная сверхпроводящая фазовая диаграмма, аналогичная фазовой диаграмме интерфейсов на основе SrTiO39,10. После этого открытия интерфейс KTaO3 с ориентацией (110) также оказался сверхпроводящим с Tc ≃ 1 K11. Недавно было высказано предположение, что за спаривание электронов в интерфейсах KTaO3 может отвечать мягкая поперечная оптическая мода, участвующая в квантовом параэлектричестве. Ожидается, что амплитуда связи между этой фононной модой и электронами будет максимальной в ориентации (111) и минимальной в ориентации (001), что могло бы объяснить иерархию Tc, наблюдаемую в этих сверхпроводящих 2-ДЭГ12.

В обычных сверхпроводниках, хорошо описываемых теорией Бардина-Купера-Шриффера (БКШ), сверхпроводящий переход контролируется разрывом куперовских пар, когда температура превышает энергетический масштаб, установленный сверхпроводящей щелью. Однако в двумерных сверхпроводниках сверхтекучая жесткость, т. е. энергия, связанная с фазовой жесткостью сверхпроводящего конденсата, может быть сравнима с энергией спаривания, что позволяет добиться подавления Tc, обусловленного потерей фазовой когерентности. В этом случае ожидается принадлежность перехода к классу универсальности Березинского-Костерлица-Таулесса (БКТ), где переход контролируется развязыванием топологических пар вихрь-антивихрь13,14,15. Измерения критического магнитного поля в 2-ДЭГ (111)-KTaO3 как в перпендикулярной, так и в параллельной геометрии установили верхнюю границу растяжения 2-ДЭГ в подложке d ≈ 5 нм6. Это меньше сверхпроводящей длины когерентности ξ ≈ 10–15 нм6, что подтверждает нахождение сверхпроводящего 2-ДЭГ в пределах 2D-предела. Кроме того, ожидается, что наличие беспорядка, выявленного в этой системе6,7, также приведет к снижению сверхтекучей жесткости и усилению роли фазовых флуктуаций. Несмотря на то, что измерения вольт-амперных характеристик в исх. 6 может быть совместимо с косвенными признаками перехода БКТ, для правильного решения этой проблемы требуется прямое измерение сверхтекучей жесткости16.

 −25 V). Long-range superconducting order is established through Josephson coupling between the islands. Further doping makes the network of islands denser and increases the coupling between islands resulting in a "homogeneous-like" superconducting 2-DEG at high doping. The resulting superconducting phase diagram is shown in Fig. 3b, where the resistance is plotted in color scale as a function of temperature and electron density extracted by combining the Hall effect and gate capacitance measurements10,24. In this experiment, the carrier density was tuned from n2D ≃ 0.95 × 1013e− × cm−2 to n2D ≃ 2.2 × 1013e− × cm−2, which is not sufficient to explain the modulation of the normal resistance by more than one order of magnitude. This indicates that the gate voltage not only controls the carrier density but also modifies deeply the electronic properties of the 2-DEG, in particular the electronic mobility, in agreement with the previous reports7./p>

ДЕЛИТЬСЯ